国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应

• 作者: 刘刚 王立新 王路璐 罗家俊 邓海涛 韩郑生 高博
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率金属-氧化物半导体场效应晶体管 单粒子效应 抗辐射加固
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 143-147
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 1980字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201601.0143

摘要

功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)空间使用时易遭受重离子轰击产生单粒子效应(单粒子烧毁和单粒子栅穿).本文对国产新型中、高压(额定电压250 V,500 V)抗辐照功率MOSFET的单粒子辐射效应进行了研究,并采取了有针对性的加固措施,使器件的抗单粒子能力显著提升.结果表明:对250 V KW2型功率MOSFET器件进行Bi粒子辐照,在栅压等于0V时,安全工作的漏极电压达到250 V;对500 V KW5型功率MOSFET器件进行Xe粒子辐照,在栅压等于0V时,安全工作的漏极电压达到400 V,并且当栅压为-15V时,安全工作的漏极电压也达到400 V,说明国产中、高压功率MOSFET器件有较好的抗单粒子能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	刘刚	中国科学院微电子研究所	207	2369	24.0	40.0
3	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
4	高博	中国科学院微电子研究所	13	52	4.0	7.0
5	罗家俊	中国科学院微电子研究所	28	56	5.0	5.0
6	王路璐	中国科学院微电子研究所	4	8	2.0	2.0
7	邓海涛	中国科学院微电子研究所	1	4	1.0	1.0