一款抗单粒子效应的32位微处理的设计

• 作者: 张峥 彭杰 范涛 袁国顺 黄强
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 软错误 单粒子效应 微处理器 加固技术
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 6-8
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-6835.2010.08.003

摘要

随着半导体生产工艺的不断进步,以单粒子效应为主的软错误已经成为影响集成电路可靠性的主要因素之一.在当前生产工艺下,不但应用在航空航天,高能物理等环境下的集成电路需要针对性的保护设计,一般条件下应用的民用设计也需要考虑这方面的影响.本文通过一系列手段对一款32位嵌入式微处理器进行了加固,使其具备了抗单粒子效应的能力.通过模拟验证,与未加固的处理器对比,处理器加固后的错误率有了极大的下降,从而证明了加固方法的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁国顺	中国科学院微电子研究所	50	218	7.0	12.0
2	黄强	中国科学院微电子研究所	29	437	10.0	20.0
3	范涛	中国科学院微电子研究所	26	159	6.0	12.0
4	彭杰	中国科学院微电子研究所	13	37	4.0	5.0
5	张峥	中国科学院微电子研究所	12	30	3.0	4.0