32×32位三端口寄存器堆的加固设计

• 作者: 宋丽丽 来逢昌 肖立伊
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 寄存器堆DICE C-element单元 单粒子翻转 单粒子瞬态
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 页码范围: 27-30,35
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

为了克服集成电路在辐射环境下所受的影响，在SMIC0．18μm工艺下，设计一款应用于LEON3处理器核中的加固的32X32位三端口寄存器堆．存储单元内部采用改进的双向互锁存储单元（DICE）N，外围组合电路采用C-element结构．电路模拟结果表明，室温条件下，工作电压为1．8V，寄存器堆工作在200MHz时，能够实现两读一写的功能，并能同时消除单粒子翻转（SEu）和单粒子瞬态（sET）效应．与汉明码加固方式相比，该方法具有较高的抗辐射能力和较快的速度．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖立伊	哈尔滨工业大学微电子中心	39	247	9.0	13.0
2	来逢昌	哈尔滨工业大学微电子中心	31	200	7.0	12.0
3	宋丽丽	哈尔滨工业大学微电子中心	4	24	3.0	4.0