横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应

• 作者: 李泽宏 李肇基 杨舰
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 横向高压DMOS 单粒子效应 等离子体 瞬态响应
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 149-153
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2594字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2004.02.010

摘要

基于单粒子辐照的等离子体输运机理,提出了横向高压DMOS单粒子辐照的瞬态响应模型.借助对横向高压DMOS的关态和开态的不同能量粒子辐照瞬态响应的二维数值分析,获得了横向高压DMOS在双结、单结和无结情况下的瞬态响应特性.其计算结果表明,横向高压DMOS的开态漏端峰值电流比关态的漏端峰值电流小,且漏端峰值电流和峰值电流出现的时间随入射粒子能量的增大而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院	85	958	14.0	28.0
2	杨舰	电子科技大学微电子与固体电子学院	9	41	4.0	5.0
3	李泽宏	电子科技大学微电子与固体电子学院	32	111	6.0	8.0