单粒子瞬态脉冲宽度量化与自测试电路设计

• 作者: 向一鸣 戴睿 王雷 蒋见花
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 单粒子瞬态(SET) 辐射效应 片内测试 SOI
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

为了研究组合逻辑中单粒子瞬态（Single-Event T ransient ，SET ）的特性，采用片上测量技术提出了一套SET脉冲宽度测量方案。针对SET脉冲特性，设计了一种基于自主触发的脉冲测量电路，提出了一种用于自测试验证的脉冲激励电路。基于本所350 nm SOI工艺，完成了一款集脉冲收集、测量、自测试于一体的SET重离子辐射测试芯片。通过仿真分析，验证了该方案的有效性。此方案为其他深亚微米工艺下SET研究提供了参考。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王雷	中国科学院微电子研究所	192	2018	26.0	36.0
2	蒋见花	中国科学院微电子研究所	21	147	7.0	11.0
3	向一鸣	中国科学院微电子研究所	2	2	1.0	1.0
4	戴睿	中国科学院微电子研究所	2	3	1.0	1.0