PDSOI工艺下单粒子瞬态脉冲宽度分析

• 作者: 吴驰 李博 李彬鸿 毕津顺 罗家俊 韩郑生
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子瞬态 脉冲宽度 电气掩蔽 锁存掩蔽
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 977-981
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 字数: 3329字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201606.0977

摘要

单粒子瞬态脉冲宽度是评价电子系统软错误率的重要参数之一.针对0.13μm、部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺下的反相器链,解析地计算了反相器中产生的单粒子瞬态脉冲宽度,仿真了产生的单粒子瞬态脉冲在反相器链中传播时的临界脉冲宽度和传输率随级数变化情况.仿真结果表明,单粒子瞬态脉冲宽度的大小在几十皮秒到几百皮秒之间,反相器链的级数对临界脉冲宽度和传输率影响较大.最后仿真得到在输入单粒子瞬态脉冲宽度较小时,建立保持时间与输入脉冲宽度有关.该结果有利于电气掩蔽建模和锁存掩蔽建模准确性的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	毕津顺	中国科学院微电子研究所	37	78	5.0	6.0
3	李博	中国科学院微电子研究所	128	1216	17.0	31.0
4	李彬鸿	中国科学院微电子研究所	8	18	2.0	4.0
5	罗家俊	中国科学院微电子研究所	28	56	5.0	5.0
6	吴驰	中国科学院微电子研究所	1	1	1.0	1.0