阱接触面积对PMOS单粒子瞬态脉冲宽度的影响

• 作者: 何益百 刘蓉容 池雅庆 窦强
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 学科: 工学
• 关键词: 阱接触面积 单粒子瞬态 PMOS 脉冲宽度
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 高性能计算
• 页码范围: 1053-1057
• 页数: 5页
• 分类号: TP303
• 字数: 3693字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2015.06.004

摘要

使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响.结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加阱接触面积可抑制SET脉冲的观点正好相反.同时,还分析了不同入射粒子LET值以及晶体管间距条件对该现象的作用趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	窦强	国防科学技术大学计算机学院	21	84	5.0	8.0
2	池雅庆	国防科学技术大学计算机学院	6	60	3.0	6.0
6	刘蓉容	国防科学技术大学计算机学院	2	2	1.0	1.0
7	何益百	国防科学技术大学计算机学院	2	4	1.0	2.0