结深对65nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响

• 作者: 刘蓉容 池雅庆 窦强
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 学科: 工学
• 关键词: N+-N结 p+-p结 PN结 单粒子瞬态 PMOS NMOS 脉冲宽度
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 高性能计算
• 页码范围: 2176-2184
• 页数: 9页
• 分类号: TN405
• 字数: 4875字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2017.12.003

摘要

使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、p+-p结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度.结果表明,N+-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉冲宽度的影响最为显著.同时,还分析出N+-N、P+-P结在不同电压下的差异性较为明显,PN结在不同温度下的差异性较为显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	池雅庆	国防科技大学计算机学院	8	12	2.0	3.0
2	窦强	国防科技大学计算机学院	25	97	5.0	8.0
3	刘蓉容	国防科技大学计算机学院	1	1	1.0	1.0