22 nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究

• 作者: 刘刚 毕津顺 罗家俊 韩郑生
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 超薄体全耗尽绝缘体上硅 单粒子瞬态效应 电荷收集 数值仿真
• 年，卷（期）: 2013,（20）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 514-521
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.208501

摘要

利用计算机辅助设计技术数值仿真工具,研究22 nm工艺技术节点下超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应,系统地分析了掺杂地平面技术、重离子入射位置、栅功函数和衬底偏置电压对于单粒子瞬态效应的影响.模拟结果表明,掺杂地平面和量子效应对于单粒子瞬态效应影响很小,重离子入射产生大量电荷,屏蔽了初始电荷分布的差异性.单粒子瞬态效应以及收集电荷和重离子入射位置强相关,超薄体全耗尽绝缘体上硅最敏感的区域靠近漏端.当栅功函数从4.3 eV变化到4.65 eV时,单粒子瞬态电流峰值从564μA减小到509μA,收集电荷从4.57 fC减小到3.97 fC.超薄体全耗尽绝缘体上硅器件单粒子瞬态电流峰值被衬底偏置电压强烈调制,但是收集电荷却与衬底偏置电压弱相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	刘刚	中国科学院微电子研究所	207	2369	24.0	40.0
3	毕津顺	中国科学院微电子研究所	37	78	5.0	6.0
4	罗家俊	中国科学院微电子研究所	28	56	5.0	5.0