CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究

• 作者: 李瑞宾 杨善潮 林东生 王桂珍 白小燕 郭晓强 龚建成
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS电路 辐照效应 闩锁阈值 翻转阈值 脉冲宽度 剂量率
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 加速器技术
• 页码范围: 742-744
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 2585字
• 语种: 中文

摘要

在"强光一号"加速器上,对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律,得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异.实验结果表明:CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低,在20 ns的脉冲宽度辐照下,CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150 ns脉冲辐照下的2倍,CMOS存储器6264的翻转阈值在20 ns脉冲宽度辐照下为150 ns脉冲宽度辐照下的3倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚建成		27	110	6.0	8.0
2	林东生		33	148	8.0	10.0
3	王桂珍		32	156	7.0	9.0
4	杨善潮		28	101	6.0	7.0
5	白小燕		15	73	6.0	7.0
6	李瑞宾		13	28	3.0	4.0
7	郭晓强		27	152	7.0	11.0