星用CMOS器件辐照损伤和退火效应研究

• 作者: 何宝平 姜景和 张正选 王永强
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 辐射效应 剂量率 退火效应 CMOS器件
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 分类号: TP3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2000.02.010

摘要

文章研究了CMOS器件(LC54HCO4RH)60Coγ射线的总剂量辐照实验以及辐照后在100℃温度场下的退火效应.实验发现,辐照后,器件在加温和加偏条件下,可以加速n沟器件界面态的增长和氧化物陷阱电荷的退火,而加温浮空偏置条件下有利于n沟器件界面态的退火;但在100℃温度场中,两种偏置条件都有利于P沟器件氧化物陷阱电荷和界面态的退火.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	张正选		21	88	5.0	8.0
3	姜景和		18	78	6.0	7.0
4	王永强		3	7	2.0	2.0