器件尺寸对MOS器件辐照效应的影响

• 作者: 刘远 师谦 恩云飞 李斌
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 金属-氧化物-半导体 器件尺寸 辐照效应
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 综述与展望
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2005.05.006

摘要

随着MOS器件的尺寸越做越小,其辐照效应也随即发生改变,对于小尺寸器件的辐照效应研究也就占据了一个非常重要的位置.对一些器件几何尺寸的辐照效应影响进行了综述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	师谦		11	110	7.0	10.0
2	李斌	华南理工大学微电子研究所	128	542	12.0	17.0
3	恩云飞		37	304	10.0	14.0
4	刘远	华南理工大学微电子研究所	15	26	3.0	4.0