槽栅结构对小尺寸MOS器件特性的影响

• 作者: 任红霞 张晓菊 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 槽栅MOSFET 深亚微米 拐角效应 小尺寸
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 74-77
• 页数: 4页
• 分类号: TN6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2003.07.020

摘要

基于流体动力学能量传输模型,研究了深亚微米槽栅结构MOSFET对小尺寸效应的影响,并与相应平面器件的特性进行了比较.研究结果表明,由于栅介质拐角效应的存在,槽栅结构在深亚微米区域能够很好地抑制小尺寸带来的短沟道效应、漏感应势垒降低等效应,且很好地降低了亚阈特性的退化,器件具有较好的输出特性和转移特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	马晓华	西安电子科技大学微电子研究所	40	140	7.0	8.0
3	张晓菊	西安电子科技大学微电子研究所	11	35	4.0	5.0
4	任红霞	西安电子科技大学微电子研究所	21	53	4.0	5.0