High-k材料MOS器件的PISCES-Ⅱ模拟

• 作者: 余志平 向采兰 陈震
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 器件模拟 MOS器件 隧道击穿 high-k
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 65-67,72
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2003.03.017

摘要

High-k材料是指介电常数k高于Si02的材料.使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(Direct Tunneling,DT)电流的有效方法.文章在二维器件模拟软件PISCES-Ⅱ中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的M0S器件模型,并对SiO2和high-k材料的M0S晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性.改进后的PISCES-Ⅱ程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余志平	清华大学微电子学研究所	45	158	7.0	10.0
2	陈震	清华大学微电子学研究所	34	1111	13.0	33.0
3	向采兰	清华大学微电子学研究所	18	35	4.0	5.0