MOS器件中的边界陷阱

• 作者: 何宝平 张正选 王永强
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 边界陷阱 缺陷结构 DTBT
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: TP3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2000.04.011

摘要

文章主要介绍了MOS器件中边界陷阱的特点、性能、形成机理及对器件性能的影响.给出了二种边界陷阱的理论模型,阐述了它的微观结构,研究发现快、慢二种边界陷阱有着不同的缺陷结构,同时还讨论了C-V测试技术和DTBT测试技术二种测量边界陷阱的方法,最后论述了边界陷阱的退火效应以及与界面态陷阱和氧化物陷阱的联系与区别,并对所得出结果进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	张正选		21	88	5.0	8.0
3	王永强		3	7	2.0	2.0