快速退火处理对ZrO2基电荷陷阱存储器件的影响

• 作者: 李荣 汤振杰
• 来源期刊: 热处理技术与装备
• 关键词: 脉冲激光沉积 存储器件 纳米晶
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺研究
• 页码范围: 6-8
• 页数: 3页
• 分类号: TG156.5|TP333
• 语种: 中文

摘要

采用脉冲激光沉积系统制备了(ZrO2)x(SiO2)1-x薄膜基电荷陷阱存储器件.通过高温快速退火处理,使(ZrO2)x(SiO2)1-x薄膜析出ZrO2纳米晶.结果表明:ZrO2纳米晶的析出能够显著提高器件的存储窗口和数据保持能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤振杰	安阳师范学院物理与电气工程学院	10	2	1.0	1.0
2	李荣	安阳师范学院数学与统计学院	6	0	0.0	0.0