不同设计参数MOS器件的γ射线总剂量效应

• 作者: 勾秋静 李冬梅 王志华 皇甫丽英
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: MOS晶体管 宽长比 辐射效应 总剂量
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 快报
• 页码范围: 522-526
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2007.05.003

摘要

采用非加固工艺,通过设计加固手段实现具有辐射容忍性能的器件,可使器件抗辐射加固成本大为降低.本工作研究商用标准0.6 μm体硅CMOS工艺下不同设计参数的MOS晶体管的γ射线总剂量辐照特性.通过对MOS器件在不同偏置情况下的总剂量辐照实验,分别对比了不同宽长比(W/L)NMOS管和PMOS管的总剂量辐照特性.研究表明,总剂量辐照引起阈值电压的漂移量对NMOS及PMOS管的W/L均不敏感;总剂量辐照引起亚阈区漏电流的增加随NMOS管W/L的减小而增加.研究结果可为抗辐射CMOS集成电路设计中晶体管参数的选择提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李冬梅	清华大学电子工程系	81	611	13.0	21.0
2	皇甫丽英	清华大学电子工程系	12	48	5.0	6.0
3	勾秋静	清华大学电子工程系	10	44	4.0	6.0
4	王志华	清华大学微电子学研究所	183	1964	21.0	36.0