CMOS器件总剂量辐射响应理论模拟

• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 辐射响应 退火 剂量率
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 486-489
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

利用线性响应理论模型模拟C4007B、CC4007RH和CC4011器件受不同γ射线剂量率辐射时的总剂量效应.研究结果表明,辐射响应与吸收剂量成线性关系时,在实验室选用任一特定剂量率进行总剂量辐射和辐照后室温退火,可以通过线性响应理论模拟其它剂量率辐射下的总剂量效应.理论模拟结果与实际不同剂量率辐射实验结果符合得很好.