NMOS器件不同剂量率γ射线辐射响应的理论预估

• 作者: 何宝平 周辉 姜景和 王桂珍 罗尹虹 龚建成
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 辐射响应 退火 剂量率 失效剂量
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 188-191
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2548字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.01.034

摘要

介绍了利用线性响应理论预估CC4007-NMOS器件在剂量率0.1,2.3,44和91rad(Si)/s下的辐射损伤情况,理论预估值和试验结果符合得比较好.利用线性响应理论预估了CC4007-NMOS器件从低剂量率到高剂量率环境下的辐射损伤及25℃长时间退火情况,结果表明,在相同偏压下,高剂量率辐照加室温退火所引起的阈值电压漂移量在误差容许的范围内等于低剂量率辐照的漂移量,两者总的时间相同.利用线性响应理论预估CC4007-NMOS器件在不同剂量率辐照下的失效剂量.