典型器件和电路不同剂量率的辐射效应

• 作者: 任迪远 何承发 余学峰 王义元 郑玉展 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: 双极类模拟电路 CMOS类电路 60Coγ辐照 剂量率效应
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 微光机电与物理电子技术
• 页码范围: 484-489
• 分类号: TN431|TL84
• 字数: 4788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-2892.2012.04.021

摘要

对几十种不同类型的典型星用器件和电路在不同剂量率辐照下的响应规律及退火特性进行了研究.对双极器件和电路及JFET输入运算放大器电路产生低剂量率损伤增强效应的机理进行了分析.结果显示,器件类型不同,失效模式也相异.其典型的失效模式表现为4种:a)仅有低剂量率辐照损伤增强效应；b)既有低剂量率辐照损伤增强效应,又有时间相关效应；c)仅有时间相关效应；d)无不同剂量率辐照损伤间的差异.