PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究

• 作者: 任迪远 余学峰 刘刚 孙静 王立新 韩郑生 高博
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: PMOSFET 退火效应 低剂量率辐射损伤增强效应
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 848-853
• 页数: 6页
• 分类号: V520
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2013.47.05.0848

摘要

为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论.实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应；高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显；辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙静	中国科学院新疆理化技术研究所	105	1431	20.0	35.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	刘刚	中国科学院微电子研究所	207	2369	24.0	40.0
4	任迪远	中国科学院新疆理化技术研究所	59	375	11.0	16.0
5	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
6	余学峰	中国科学院新疆理化技术研究所	19	125	7.0	10.0
7	高博	中国科学院微电子研究所	13	52	4.0	7.0