国产双极工艺线性电路低剂量率辐照效应评估方法

• 作者: 刘凡 吕贺 孙明 孙静 张洪伟 李鹏伟
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 工学
• 关键词: 线性电路 低剂量率辐照 辐射损伤增强因子 抗辐射能力
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 地面试验
• 页码范围: 146-150
• 页数: 5页
• 分类号: TN431|V416.5
• 字数: 3810字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12126/see.2019.02.007

摘要

国产双极工艺元器件应用于航天型号存在低剂量率辐射损伤增强效应风险,需要对其开展低剂量率辐照试验评估.在0.01 rad(Si)/s低剂量率辐照条件下,测试分析了不同工艺器件对不同偏置条件的敏感性差异;对比0.1 rad(Si)/s辐照试验结果,分析了器件的低剂量率辐射损伤增强效应特性,建立了辐射损伤增强因子和参数判据法相结合的评价标准;依据此标准讨论了各型号器件的低剂量率辐射增强敏感度以及抗电离总剂量辐射的能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘凡		16	26	3.0	4.0
2	李鹏伟		4	0	0.0	0.0
5	吕贺		2	0	0.0	0.0
7	张洪伟		6	7	2.0	2.0
9	孙明		3	0	0.0	0.0