反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨

• 作者: 朱小锋 杜川华 赵洪超
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: 反熔丝FPGA γ剂量率 辐照试验 抗辐射加固
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 微光机电与物理电子技术
• 页码范围: 84-86,95
• 页数: 4页
• 分类号: TN431.2|TL843
• 字数: 2127字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-2892.2010.01.020

摘要

FPGA系统电路进行抗γ剂量率器件选择是非常困难的.针对FPGA器件抗γ剂量率性能优选,试验研究了3种反熔丝FPGA器件的γ剂量率辐照效应规律.全部样品均出现了低阈值γ剂量率扰动效应,但均未产生高γ剂量率闭锁效应.FPGA器件低阈值γ剂量率失效主要是瞬时光电流扰动引起了时序逻辑功能的失效,而其模块海间的反熔丝开关电阻却对产生闭锁效应的大的辐射浪涌电流提供了保护.实验结果表明,系统电路设计加固是其实现抗γ剂量率最有效的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜川华	中国工程物理研究院电子工程研究所	13	45	4.0	6.0
2	赵洪超	中国工程物理研究院电子工程研究所	9	18	3.0	4.0
3	朱小锋	中国工程物理研究院电子工程研究所	6	26	3.0	5.0