不同偏置影响SiGe HBT剂量率效应数值模拟

• 作者: 唐杜 张晋新 李培 贺朝会 马婷
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: SiGeHBT 不同偏置 γ辐射 数值模拟
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 549-554
• 页数: 6页
• 分类号: TN322.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2017.51.03.0549

摘要

为研究不同偏置条件对SiGe异质结双极晶体管(HBT)剂量率效应的影响,采用半导体模拟软件Sentaurus TCAD构建了SiGe HBT三维数值仿真模型,研究了不同剂量率、不同偏置条件下SiGe HBT在γ瞬时辐照时各端口电流瞬变峰值随时间的变化及Gummel特性曲线的变化.结果表明,器件各端口的电流瞬变峰值随剂量率的增加而增加;不同端口对γ瞬时辐射响应的最劣偏置不同.同一端口在不同偏置条件下的瞬变电流也不同:集电极瞬变电流在衬底反偏时较大,基极瞬变电流在截止偏置时较大,衬底瞬变电流在衬底反偏时较大.产生这些现象的主要原因是不同偏置条件下载流子输运方式的变化和外加电场的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺朝会	西安交通大学能源与动力工程学院	35	120	5.0	10.0
2	唐杜	西安交通大学能源与动力工程学院	7	13	2.0	3.0
3	马婷	西安交通大学能源与动力工程学院	7	161	5.0	7.0
4	李培	西安交通大学能源与动力工程学院	9	22	2.0	4.0
5	张晋新	西安交通大学能源与动力工程学院	4	11	2.0	3.0