一种新型双多晶自对准结构的高压功率SiGe HBT

• 作者: 岳磊 张伟 徐阳 许军
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: SiGe HBT 图形外延 自对准 高压
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 93-96
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.05.028

摘要

为了改善高压功率SiGe HBT的综合性能,应用图形外延SiGe工艺,研制出了一种新型的双多晶自对准SiGe HBT器件.相对于双台面结构的SiGe HBT而言,该结构的SiGe HBT在发射极总周长不变的情况下,其发射结面积减少超过50%,集电结面积减少近70%,BVCBO也提高了近28%.经测试,器件的结漏电和直流增益等参数均符合设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	清华大学微电子学研究所	180	2989	27.0	49.0
2	许军	清华大学微电子学研究所	32	200	7.0	13.0
3	徐阳	清华大学微电子学研究所	11	45	4.0	6.0
4	岳磊	清华大学微电子学研究所	2	2	1.0	1.0