微波功率SiGe HBT的温度特性

• 作者: 张万荣 杨经伟 邱建军 金冬月 高攀
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 温度特性 微波功率晶体管
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 231-234
• 页数: 4页
• 分类号: TN385
• 字数: 1576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.059

摘要

通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT).在提高器件或电路热稳定性时,SiGe HBT可以使用比Si BJT更小的镇流电阻.同时SiGe HBT共发射级输出特性曲线在高电压大电流下具有负阻特性,而负阻效应的存在可以有效地抑制器件的热不稳定性效应,从而在温度特性方面证明了SiGe HBT更适合于微波功率器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万荣	北京工业大学电子信息与控制工程学院	105	390	8.0	12.0
2	邱建军	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	18	2.0	4.0
3	高攀	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	3	1.0	1.0
4	杨经伟	北京工业大学电子信息与控制工程学院	1	0	0.0	0.0
5	金冬月	辽宁大学物理系	2	4	1.0	2.0