SiGe HBT直流特性模型研究

• 作者: 吕懿 张鹤鸣 戴显英 李开成 王伟 胡辉勇
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 直流特性 模拟
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 165-169
• 页数: 5页
• 分类号: TN325+3|TN323+2
• 字数: 3603字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2004.02.001

摘要

在求解漂移扩散方程的基础上,建立了全面系统的SiGe HBT直流特性模型及物理意义清晰的各电流解析表达式.所建立的SiGe HBT直流特性的各电流模型均适应大注入及小注入情况.模拟分析了基区掺杂浓度及Ge组分对电流密度的影响,模拟结果表明,基区掺杂浓度的增加减小了集电极电流、增大了中性基区复合电流,从而降低了电流增益;而Ge组分越高,集电极电流密度就越大,从而提高了SiGe HBT的电流增益.模拟了基区发射结侧Ge组分及发射区掺杂浓度对基区空穴反注入电流密度的影响,结果表明,提高Ge组分能明显减小空穴反注入电流,获得更高的电流增益.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子研究所	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子研究所	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子研究所	102	510	12.0	16.0
4	王伟	西安电子科技大学微电子研究所	83	505	12.0	18.0
5	吕懿	西安电子科技大学微电子研究所	14	99	6.0	9.0
6	李开成		7	41	4.0	6.0