SiGe HBT直流电流增益模型研究

• 作者: 王颖
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 直流电流增益 集电极电流 复合电流
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 451-455
• 分类号: TN432
• 字数: 3337字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.04.013

摘要

基于器件结构特点和电学特性,研究了影响SiGe HBT(异质结双极晶体管)直流电流增益的主要因素,分析了不同的电流密度条件下,器件的物理参数、结构参数与集电极电流密度和中性基区复合电流的关系,建立了SiGe HBT集电极电流密度,空穴反注入电流密度、中性基区复合电流、SRH(Shockley-Read- Hall)复合电流密度、俄歇复合电流密度以及直流电流增益模型,对直流电流增益模型进行了模拟仿真,分析了器件物理、结构参数以及复合电流与直流电流增益的关系,得到了SiGe HBT直流电流增益特性的优化理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王颖	陕西教育学院基建处	5	4	1.0	2.0