PNP型SiGe HBT的电流增益与Ge组分研究

• 作者: 张鹤鸣 戴显英 王喜媛 胡辉勇
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: PNP型SiGe HBT,三角形分布,梯形分布,矩形分布,电流增益
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 8-11，20
• 页数: 5页
• 分类号: TP3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2003.06.003

摘要

在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益.文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析,认为其它条件相同时,梯形分布的PNP SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,本文从能带结构和势垒角度对此进行讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子研究所	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子研究所	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子研究所	102	510	12.0	16.0
4	王喜媛	西安电子科技大学微电子研究所	35	197	6.0	13.0