与Si工艺兼容的Si/SiGe/Si HBT研究

• 作者: 廖小平
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: Si/SiGe/Si HBT Si兼容工艺
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 274-278
• 页数: 5页
• 分类号: TN31
• 字数: 3218字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2001.04.003

摘要

我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si/SiGe/Si HBT结构,并已研制成功台面结构Si/SiGe/Si HBT和低噪声Si/SiGe/Si HBT,为进一步高指标的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖小平	东南大学微电子中心	6	9	2.0	2.0