SiGe/Si HBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响

• 作者: 周静 徐晨 李建军 沈光地 罗辑 董欣 邹德恕 陈建新 魏欢
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT) SiGe/Si异质界面 pn结界面
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 63-65
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 字数: 2519字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.08.018

摘要

从模拟和实验两方面研究了SiGe/Si HBT发射结中pn结界面和SiGe/Si界面的相对位置对器件的电流增益和频率特性的影响.发现两界面偏离时器件性能会变差.尤其是当pn结位于SiGe/Si界面之前仅几十?就足以产生相当高的电子寄生势垒,严重恶化器件的性能.据此分析了基区B杂质的偏析和外扩对器件的影响以及SiGe/Si隔离层的作用.