射频 Si/SiGe/Si HBT的研究

• 作者: 廖小平 殷刚毅
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: Si/SiGe/Si HBT 特征频率fT 最高振荡频率fmax
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 页码范围: 136-138
• 页数: 3页
• 分类号: TN325+.2
• 字数: 1880字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2003.02.008

摘要

在Si/SiGe/Si HBT与Si工艺兼容的研究基础上,对射频Si/SiGe/Si HBT的射频特性和制备工艺进行了研究,分析了与器件结构有关的关键参数寄生电容和寄生电阻与Si/SiGe/Si HBT的特征频率fT和最高振荡频率fmax的关系,成功地制备了fT为2.5 GHz、fmax为2.3 GHz的射频Si/SiGe/Si HBT,为具有更好的射频性能的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖小平	东南大学微电子中心	6	9	2.0	2.0
2	殷刚毅	东南大学微电子中心	4	9	2.0	3.0