Si/SiGe/Si HBT的直流特性和低频噪声

• 作者: 廖小平 张中平
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: Si/SiGe/Si HBT 直流特性 低频噪声
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 22-24
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 922字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2003.01.006

摘要

在对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺的研究基础上,研制成功低噪声Si/SiGe/Si HBT,测试和分析了它的直流特性和低频噪声特性,为具有更好的低噪声性能的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖小平	东南大学微电子中心	6	9	2.0	2.0
2	张中平	东南大学微电子中心	3	16	3.0	3.0