γ辐照对SiGe HBT特性的影响

• 作者: 刘轮才 杨晨 王健安 石瑞英 程兴华 蒲林 谭开州 龚敏
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 基极电流 集电极电流 γ辐照
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 587-590
• 页数: 4页
• 分类号: TN322+.8|O571.32+.3
• 字数: 1948字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2007.03.029

摘要

对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管(HBT)直流特性的影响进行了研究.结果表明,γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不同程度的增加,直流电流增益减少.并对γ辐照后引起SiGe HBT集电极电流净增加的原因进行了探讨.这可能有助于其抗辐照模型的建立.