电子温度对SiGe HBT基区渡越时间的影响

• 作者: 彭波 李蕊 杨双健 王宗满 陈海俊
• 来源期刊: 重庆工学院学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 电子温度 基区渡越时间
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 数学·物理
• 页码范围: 176-178
• 页数: 3页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 1940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8425-B.2009.12.039

摘要

讨论了采用能量传输模型时的SiGe HBT基区电子温度分布,以及电子温度对基区渡越时间的影响.计算结果表明:基区电子温度呈现明显的不均匀分布,从发射极侧到集电极侧逐渐增大;电子温度分布主要由基区Ge分布决定,而基区掺杂对电子温度的影响不大.考虑基区电子温度分布时基区渡越时间减小,在较大的Ge分布梯度下,电子温度对基区渡越时间的影响不可忽略.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李蕊	重庆理工大学数理学院	5	5	1.0	2.0
2	杨双健	重庆理工大学数理学院	1	0	0.0	0.0
3	王宗满	重庆理工大学数理学院	1	0	0.0	0.0
4	彭波	重庆理工大学数理学院	1	0	0.0	0.0
5	陈海俊	重庆理工大学数理学院	1	0	0.0	0.0