势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响

• 作者: 李蕊
• 来源期刊: 重庆工学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 基区渡越时间 势垒效应
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 数理化科学
• 页码范围: 133-135
• 页数: 3页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 1740字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8425-B.2007.08.034

摘要

在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系.结果表明:大电流密度下的势垒效应会增大基区渡越时间,基区Ge的不均匀分布并不能完全起到减小基区渡越时间的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李蕊	重庆工学院数理学院	2	4	1.0	2.0