基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容

• 作者: 吕懿 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 舒斌
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 势垒电容 微分电容 可动电荷
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 837-840
• 页数: 4页
• 分类号: TN322+.8|TN323+.2
• 字数: 2889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2004.06.005

摘要

当SiGe HBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGe HBT载流子输运基础上,建立了考虑发射势垒区载流子分布的势垒电容模型和不同电流密度下的集电结势垒电容模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子所	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子所	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子所	102	510	12.0	16.0
4	吕懿	西安电子科技大学微电子所	14	99	6.0	9.0
5	舒斌	西安电子科技大学微电子所	14	109	8.0	10.0