减弱SiGe HBT势垒效应

• 作者: 李蕊
• 来源期刊: 重庆工学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SiGeHBT 基区Ge分布 势垒效应
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 数学·物理
• 页码范围: 104-106,116
• 页数: 4页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 2461字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8425-B.2008.10.025

摘要

讨论了基区Ge分布、集电极电流密度对势垒高度的影响,分析了减弱势垒效应的方法.计算结果表明:基区Ge分布对势垒高度有很大的影响,随着BC结处Ge含量的增大,势垒高度也迅速增大,并且使得基区渡越时间也迅速增大;当集电极电流密度增加时,势垒高度有着明显的饱和趋势;通过集电结处Ge组分缓变,并不能很好地减弱势垒效应的影响,而采用将Ge组分引入到集电区的方法可以有效地推迟势垒效应的发生.