SiGe HBT势垒电容模型

• 作者: 吕懿 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 舒斌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiGe HBT 势垒电容 微分电容
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 3239-3244
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3222字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.09.077

摘要

在考虑SiGe HBT的势垒电容时,通常的耗尽层近似不再适用,应考虑可动载流子的影响.在分析研究SiGe HBT载流子输运的基础上,建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容模型.将以上势垒电容模型应用于SiGe HBT频率特性模拟,模拟结果与实验结果符合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子所	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子所	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子所	102	510	12.0	16.0
4	吕懿	西安电子科技大学微电子所	14	99	6.0	9.0
5	舒斌	西安电子科技大学微电子所	14	109	8.0	10.0