高频npn Si1-yGey基区HBT的集电结势垒区模型

• 作者: 孔德义 李壵 郑茳 钱文生 魏同立
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 空间电荷区 Si1-yGey 穿通
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 49-52
• 分类号: TN91
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.1999.05.015

摘要

本文分析并给出了在无应力及界面态的理想条件下npn Si1-yGey基区HBT集电结势垒高度的近似公式,重点推导了集电区穿通时的势垒区宽度的定量计算公式,在比较了未发生集电区穿通的势垒区宽度后,得出了重要结论.同时,本文亦给出了考虑应力及界面态密度后对模型的修正方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏同立	东南大学微电子中心	87	942	17.0	26.0
2	郑茳	东南大学微电子中心	2	24	2.0	2.0
3	孔德义	东南大学微电子中心	2	10	2.0	2.0
4	李壵	东南大学微电子中心	1	7	1.0	1.0
5	钱文生	东南大学微电子中心	1	7	1.0	1.0