SiGe HBT基区渡越时间模型

• 作者: 何林 孙建诚 张鹤鸣 戴显英 林大松
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 模型 基区渡越时间
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 学术论文和技术报告
• 页码范围: 456-461
• 页数: 6页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 4345字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2001.04.011

摘要

建立了SiGe HBT基区渡越时间模型.该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布,以及器件在小电流到大电流密度下的应用.模拟结果表明,基区集电结边界处载流子浓度引起的基区附加延时对基区渡越时间有较大的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子所	55	329	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子所	102	510	12.0	16.0
3	孙建诚	西安电子科技大学微电子所	6	10	2.0	3.0
4	林大松	西安电子科技大学微电子所	5	0	0.0	0.0
5	何林	西安电子科技大学微电子所	1	0	0.0	0.0