SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化

• 作者: 何林 孙建诚 张鹤鸣 戴显英 林大松
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT Ge组分剖面 基区渡越时间
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文和技术报告
• 页码范围: 305-308
• 页数: 4页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 2403字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2000.03.011

摘要

建立了SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型,模拟分析了它们之间的关系,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数.结果表明,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于xα增加,到x0点时,Ge组分达峰值,并保持到收集结处.α是大于1的数,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小,x0随基区禁带变化量的增加而向收集结方向移动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子所	55	329	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子所	102	510	12.0	16.0
3	孙建诚	西安电子科技大学微电子所	6	10	2.0	3.0
4	林大松	西安电子科技大学微电子所	5	0	0.0	0.0
5	何林		3	8	1.0	2.0