基区Ge组分分布对SiGe pnp HBT的影响

• 作者: 戴显英 朱永刚 李立 胡辉勇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe pnp HBT Ge分布 电流增益β 特征频率fT
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 635-638
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2144字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.03.007

摘要

采用SiGe异质结结构提高pnp晶体管的性能,重点研究了Ge组分在基区的三角形分布对晶体管电流增益β和特征频率fT的影响.三角形分布,又分为起点为零和不为零两种情况.同时为了消除集电结处SiGe异质结的价带势垒对空穴输运的影响,Ge组分向集电区延伸进一步提高了晶体管的性能.得到最大电流增益β可达150和特征频率fT可达15 GHz的pnp SiGe HBT,可以广泛地应用到通信、微波和射频领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李立	西安电子科技大学微电子学院	10	24	3.0	4.0
2	戴显英	西安电子科技大学微电子学院	55	329	10.0	15.0
3	朱永刚	西安电子科技大学微电子学院	1	1	1.0	1.0
4	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院	64	367	10.0	15.0