基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件.该文从Early效应造成超薄基区穿通,器件由双极工作状态向体势垒管工作状态转变从而形成负阻特性的思路出发,通过对材料结构的特殊设计,采用普通台面工艺研制出了基区厚度为8 nm的负阻型HBT.该器件具有独特且显著的可变电压控制型负阻特性,其电流峰谷比大于1 000,并伴有电流控制型负阻.
推荐文章
AlGaAs/GaAs超薄基区负阻HBT的研制与模拟
异质结双极晶体管
超薄基区
器件模拟
电压控制型负阻
峰谷比
一种新型双多晶自对准结构的高压功率SiGe HBT
SiGe HBT
图形外延
自对准
高压
SiGe HBT基区渡越时间模型
SiGe HBT
模型
基区渡越时间
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT
来源期刊 电子科技大学学报 学科 工学
关键词 异质结双极晶体管 负阻 超薄基区 体势垒晶体管
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目 电子信息材料与器件
研究方向 页码范围 129-131,136
页数 4页 分类号 TN321
字数 2993字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-0548.2007.01.040
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张世林 天津大学电子信息工程学院 109 334 8.0 11.0
2 郭维廉 天津大学电子信息工程学院 145 419 10.0 12.0
3 齐海涛 天津大学电子信息工程学院 27 319 10.0 17.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (17)
共引文献  (2)
参考文献  (4)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1979(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1983(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1986(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1990(3)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(2)
1992(3)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(2)
1993(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
1994(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1995(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
1996(5)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(4)
2002(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2004(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2007(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
异质结双极晶体管
负阻
超薄基区
体势垒晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技大学学报
双月刊
1001-0548
51-1207/T
大16开
成都市成华区建设北路二段四号
62-34
1959
chi
出版文献量(篇)
4185
总下载数(次)
13
总被引数(次)
36111
相关基金
中国博士后科学基金
英文译名:China Postdoctoral Science Foundation
官方网址:http://www.chinapostdoctor.org.cn/index.asp
项目类型:
学科类型:
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:National Basic Research Program of China
官方网址:http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:农业
论文1v1指导