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摘要:
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其I-V特性,器件模拟结果和测试结果基本一致.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 异质结双极晶体管 双基区晶体管 三端负阻器件 逻辑功能器件
年,卷(期) 2005,(9) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1783-1788
页数 6页 分类号 TN313.2
字数 3058字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.020
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研究主题发展历程
节点文献
异质结双极晶体管
双基区晶体管
三端负阻器件
逻辑功能器件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:National Basic Research Program of China
官方网址:http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:农业
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