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一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管
一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
异质结双极晶体管
双基区晶体管
三端负阻器件
逻辑功能器件
摘要:
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其I-V特性,器件模拟结果和测试结果基本一致.
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内容分析
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引文网络
相关学者/机构
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期刊文献
内容分析
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关键词热度
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文献信息
篇名
一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
异质结双极晶体管
双基区晶体管
三端负阻器件
逻辑功能器件
年,卷(期)
2005,(9)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1783-1788
页数
6页
分类号
TN313.2
字数
3058字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.020
五维指标
传播情况
被引次数趋势
(/次)
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引文网络
引文网络
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双基区晶体管
三端负阻器件
逻辑功能器件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:
National Basic Research Program of China
官方网址:
http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:
农业
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