基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管

• 作者: 刘喆 崔得良 徐现刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAsSb InP MOCVD 双异质结晶体三极管
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 962-965
• 页数: 4页
• 分类号: TN323.3
• 字数: 1953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.09.013

摘要

采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP 双异质结晶体三极管(DHBT)材料,研究了材料质量对器件性能的影响.制备的器件不但具有非常好的直流特性,而且还表现出良好的微波特性,其结果与能带理论的预言一致,DHBT集电结和发射结的电流理想因子分别为1.00和1.06,击穿电压高达15V,电流放大增益截止频率超过100GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
2	崔得良	山东大学晶体材料国家重点实验室	44	286	9.0	13.0
3	刘喆	山东大学晶体材料国家重点实验室	8	102	5.0	8.0