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162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管
162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管
作者:
严北平
于进勇
刘新宇
刘训春
徐安怀
王润梅
苏树兵
齐鸣
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
磷化铟
异质结双极型晶体管
自对准
摘要:
报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流Ic=34.2mA的条件下,发射极面积为0.8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz,最大振荡频率fmax为52GHz,最大直流增益为120,偏移电压为0.10V,击穿电压BVCEO达到3.8V(Ic=0.1μA).这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.
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绝缘栅双极型晶体管
短时脉冲
结温特性
温度分布
电热耦合
采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能
自对准发射极
磷化铟
单异质结双极晶体管
T型发射极
U型发射极图形
内容分析
文献信息
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相关学者/机构
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期刊文献
内容分析
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关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
磷化铟
异质结双极型晶体管
自对准
年,卷(期)
2006,(10)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1732-1736
页数
5页
分类号
TN323+.2
字数
907字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.006
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘新宇
中国科学院微电子研究所
141
717
13.0
18.0
2
齐鸣
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
34
145
8.0
9.0
3
徐安怀
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
20
94
7.0
8.0
4
刘训春
中国科学院微电子研究所
43
222
9.0
11.0
5
严北平
中国科学院微电子研究所
4
39
3.0
4.0
6
王润梅
中国科学院微电子研究所
15
78
6.0
8.0
7
于进勇
中国科学院微电子研究所
9
91
8.0
9.0
8
苏树兵
中国科学院微电子研究所
6
59
5.0
6.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(4)
共引文献
(5)
参考文献
(6)
节点文献
引证文献
(8)
同被引文献
(5)
二级引证文献
(35)
1994(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1995(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1996(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2002(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
2004(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
2006(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2007(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
2008(4)
引证文献(1)
二级引证文献(3)
2009(10)
引证文献(4)
二级引证文献(6)
2010(1)
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引证文献(1)
二级引证文献(5)
2012(6)
引证文献(0)
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2014(5)
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节点文献
磷化铟
异质结双极型晶体管
自对准
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:
National Basic Research Program of China
官方网址:
http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:
农业
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