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摘要:
针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110wA,电流增益截止频率达到176GI-Iz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用.
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关键词热度
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文献信息
篇名 一种ft为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 工学
关键词 InP 异质结双极晶体管 高电流 高频
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 81-84
页数 4页 分类号 TN3
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9014.2009.02.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘新宇 中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室 141 717 13.0 18.0
2 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 34 145 8.0 9.0
3 徐安怀 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 20 94 7.0 8.0
4 程伟 中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室 28 428 9.0 20.0
5 金智 中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室 30 92 5.0 8.0
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2017(1)
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研究主题发展历程
节点文献
InP
异质结双极晶体管
高电流
高频
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
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3
总被引数(次)
28003
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