异质结双极晶体管高频噪声建模及分析

• 作者: 吴德馨 王延锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极晶体管 高频噪声模型 噪声相关矩阵
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1140-1145
• 页数: 6页
• 分类号: TN307
• 字数: 976字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.003

摘要

提出了一个T等效异质结双极晶体管高频噪声电路模型.该模型是对通常用在硅双极晶体管中的Hawkins噪声模型进行改进得到的,主要的改进包括发射极理想因子、发射极电阻、内部BC结电容、外部BC结电容和其它寄生元素对器件噪声性能的影响.为了从等效噪声电路模型中计算出精确的噪声参数,采用了噪声相关矩阵法来计算噪声参数,从而避免了在等效电路变换中可能产生的简化和复杂的噪声测量.进一步利用该模型分析了等效电路元素对器件最小噪声系数的影响,分析计算结果和物理解释一致.同时通过基于异质结双极晶体管器件物理的公式,给出了器件参数对器件最小噪声系数的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴德馨	中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室	58	345	11.0	14.0
2	王延锋	中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室	2	12	2.0	2.0