SiGe异质结双极晶体管频率特性分析

• 作者: 吕懿 张鹤鸣 戴显英 林大松 王伟 胡辉勇
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe异质结双极晶体管 时间常数 模型 特征频率
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 293-297
• 页数: 5页
• 分类号: TN325+.3|TN323+.2
• 字数: 3761字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2003.03.002

摘要

在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型.模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩展效应.同时对特征频率与上述参数之间的关系进行了模拟分析和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子所	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子所	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子所	102	510	12.0	16.0
4	王伟	西安电子科技大学微电子所	83	505	12.0	18.0
5	吕懿	西安电子科技大学微电子所	14	99	6.0	9.0
6	林大松	西安电子科技大学微电子所	5	0	0.0	0.0